Іi международная научно-практическая конференция “ полупроводниковые материалы, информационные технологии и фотовольтаика




Скачать 23,43 Kb.
НазваниеІi международная научно-практическая конференция “ полупроводниковые материалы, информационные технологии и фотовольтаика
Дата03.02.2016
Размер23,43 Kb.
ТипДокументы



ІI Международная научно-практическая конференция


ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ МАТЕРИАЛЫ, ИНФОРМАЦИОННЫЕ ТЕХНОЛОГИИ И ФОТОВОЛЬТАИКА”,


ПМИТФ-2013

Первое информационное сообщение



Министерство образования и науки, молодежи и спорта Украины, Научный совет НАН Украины по проблемам физики полупроводников, Институт физики полупроводников (ИФП) им. В. Е. Лашкарёва НАН Украины, Институт электросварки им. Е. О. Патона НАН Украины, Научно-технологический комплекс (НТК) "Институт монокристаллов" НАН Украины, Королевский институт технологий (Швеция), Институт нанотехнологий (Франция), Университет Пардубице (Чехия), Институт электронных технологий (Польша), Институт высоких технологий Киевского национального университета им. Т. Шевченко, Национальный технический университет Украины «Киевский политехнический институт», Национальный технический университет «Харьковский политехнический институт», Харьковский национальный университет радиоэлектроники, Классический приватный университет (г. Запорожье), Кременчугский национальный университет им. Михаила Остроградского

проводят


II Международную научно-практическую конференцию "Полупроводниковые материалы, информационные технологии и фотовольтаика" (ПМИТФ-2013),
которая состоится 22 - 24 мая 2013 г., г. Кременчуг, Украина


и предлагают


объединить усилия ученых, исследователей, изобретателей и бизнесменов для развития отечественной науки, полупроводниковой промышленности и солнечной энергетики.


Целью конференции, кроме ознакомления с научными разработками специалистов и обмена информацией по тематике конференции, является определение Hi-Tech разработок, имеющих большое практическое значение для развития производства материалов электронной техники и фотовольтаики, и рекомендация их к внедрению на предприятиях Украины, занимающихся производством материалов электронной техники и средств преобразования солнечной энергии в электрическую.


Организационная поддержка: ООО “Силикон” (г. Светловодск), ЧП “Галар” (г. Светловодск), ОАО “Завод полупроводников” (г. Запорожье). Информационная поддержка: “Кременчугский ТелеграфЪ”.


Председатель:

Оксанич А. П., д.т.н., проф., директор Института технологии полупроводников и информационно-управляющих систем, Кременчугский национальный университет им. Михаила Остроградского (г. Кременчуг, Украина);

Сопредседатели:

Мачулин В. Ф., д.ф.-м.н., академик НАН Украины, директор Института физики полупроводников им. В. Е. Лашкарева НАН Украины (г. Киев, Украина).

Третьяк О. В., д.ф.-м.н., академик НАПН Украины, директор Института высоких технологий Киевского национального университета им. Тараса Шевченко (г. Киев, Украина);


Учёный секретарь: Притчин С. Э., к.т.н., доц., Кременчугский национальный университет им. Михаила Остроградского (г. Кременчуг, Украина).


Программный комитет:


  1. Бахрушин В. Е., д.ф.-м.н., проф., Классический приватный университет (г. Запорожье, Украина);

  2. Беляев А. Е., д.ф.-м.н., проф., член-корреспондент НАН Украины, Институт физики полупроводников им. В.Е. Лашкарева НАН Украины (г. Киев, Украина);

  3. Боднарь И. В., д.х.н., проф., Белоруский государственный университет информатики и радиоэлектроники (г. Минск, Беларусь);

  4. Борщов В. Н., д.т.н., проф., заместитель генерального директора «Научно-иследовательский технологический институт приборостроения» (г. Харьков, Украина);

  5. Вербицкий В. Г., д.т.н., проф., директор Научно-исследовательского института микроприборов НАН Украины (г. Киев, Украина);

  6. Власенко А. И., д.ф.-м.н., проф., Институт физики полупроводников им. В.Е. Лашкарева НАН Украины (г. Киев, Украина);

  7. Влчек Мирослав, проф., Университет Пардубице (Чехия);

  8. Горбань А. Н., д.ф.-м.н., проф., Классический приватный университет (г. Запорожье, Украина);

  9. Грибов Б. Г., член-корреспондент Российской академии наук, д.х.н., проф., Научно-исследовательский институт особо чистых материалов (г. Москва, Россия);

  10. Данильченко Б.О., д.ф.-м.н., проф., Институт физики НАН Украины (г. Киев, Украина);

  11. Жеру И. И., проф., Институт химии, Академия наук Молдовы, Кишинев;

  12. Загирняк М. В., д.т.н., проф., член-кореспондент НАПН Украины, ректор Кременчугского национального университета им. Михаила Остроградского (г. Кременчуг, Украина);

  13. Калашник О. Н., д.т.н., Научно-исследовательский институт "СуперЭВМ" (г. Москва, Россия);

  14. Ковалюк З. Д., д.ф.-м.н., проф., директор Черновицкого отделения Института проблем материаловедения им. Францевича НАН Украины (г. Черновцы, Украина);

  15. Корбутяк Д. В., д.ф.-м.н., проф., Институт физики полупроводников им. В. Е. Лашкарева НАН Украины (г. Киев, Украина);

  16. Левыкин В. М., д.т.н., проф., Харьковский национальный университет радиоэлектроники (г. Харьков, Украина);

  17. Левинзон Д. И., д.т.н., проф., Классический приватный университет (г. Запорожье, Украина);

  18. Литовченко В.Г., д.ф.-м.н., проф., член-корреспондент НАН Украины, Институт физики полупроводников им. В. Е. Лашкарева НАН Украины (г. Киев, Украина);

  19. Мисюк Анджей, проф., Институт электронных технологий (г. Варшава, Польша);

  20. Лисенко В. В, , Институт нанотехнологий (г. Лион, Франция)

  21. Негрийко А. М., д.ф.-м.н., проф., член-кореспондент НАН Украины, заместитель директора. Институт физики НАН Украины (г. Киев, Украина);

  22. Порошин В .М., д.ф.-м.н., проф., заместитель директора. Институт физики НАН Украины (г. Киев, Украина);

  23. Прокопенко И. В., д.ф.-м.н., проф., Институт физики полупроводников им. В. Е. Лашкарева НАН Украины (г. Киев, Украина);

  24. Рамазанов C. К., д.э.н., проф., Восточноукраинский национальный университет имени Владимира Даля (г. Луганск, Украина)

  25. Слипченко Н. И., д.т.н., проф., Харьковский национальный университет радиоэлектроники (г. Харьков, Украина).

  26. Стронский А. В., д.ф.-м.н., с.н.с., Институт физики полупроводников им. В. Е. Лашкарева НАН Украины (г. Киев, Украина);

  27. Скришевский В. А., д.ф.-м.н., проф., Институт высоких технологий Киевского национального университета им. Тараса Шевченко (г. Киев, Украина);

  28. Тербан В. А., к.т.н., первый заместитель генерального директора ООО «Силикон» (г. Светловодск, Украина);

  29. Томашик В. М., д.х.н., проф., Институт физики полупроводников им. В. Е. Лашкарева НАН Украины (г. Киев, Украина);

  30. Хрипунов Г. С., д.т.н., проф., НТУ «Харьковский политехнический институт» (г. Харьков, Украина).



Экспертный совет

по определению разработок, рекомендуемых к внедрению в производство:


  1. Мачулин В. Ф., д.ф.-м.н., академик НАН Украины, Институт физики полупроводников им. В. Е. Лашкарева НАН Украины (г. Киев, Украина);

  2. Оксанич А. П., д.т.н., проф., Кременчугский национальный университет им. Михаила Остроградского (г. Кременчуг, Украина);

  3. Тербан В. А., к.т.н., первый заместитель генерального директора ООО «Силикон» (г. Светловодск, Украина);

  4. Волохов С. А., к.т.н., генеральный директор ООО "Силикон" (г. Светловодск, Украина);




Организационный комитет:


Клюй Н. И. – председатель

Шевченко И. В.

Оксанич И. Г. – зам. председателя

Куделина К. А.

Притчин С. Э.

Рылова Н. В.

Щербак С. С.

Самойлов А. Н.




Научные направления конференции:

  1. Материалы, структуры, технологии, оборудование для фотовольтаики и солнечной энергетики.

  2. Перспективные методы выращивания полупроводниковых монокристаллов, тонких пленок и квантово-размерных структур. Фундаментальные исследования процессов роста кристаллов, поиск новых кристаллических и наноструктурных сред с функционально важными свойствами; фундаментальные основы нанотехнологий.

  3. Комплексные исследования физических явлений в оптических монокристаллах, наносистемах и их физико-химических свойств.

  4. Материалы и приборные структуры для сенсоров, солнечных элементов и матричных преобразователей информации.

  5. Дефектообразование, межфазное взаимодействие и релаксационные процессы.

  6. Измерение, контроль и управление параметрами полупроводниковых материалов в технологических процессах.

  7. Диагностика физических свойств полупроводниковых материалов.

  8. Информационные технологии, системы управления и отображения информации.

  9. Информационные технологии проектирования автоматизированных систем.

  10. Компьютерно-интегрированные технологические процессы и производства.

  11. Компьютеризированные системы автоматики и управления.

  12. Моделирование физических и физико-химических процессов в монокристаллах, эпитаксиальных пленках и приборных структурах на их основе.


Рабочие языки конференции: украинский, русский, английский.


К началу работы конференции планируется издать: сборник тезисов докладов на конференции (регистрационный номер ISSN 2222 - 4386). Требования к оформлению рукописей тезисов докладов приведены в Приложении 1.

Размер организационного взноса за участие в конференции составляет 350 грн. Для участников, которые не являются гражданами Украины, организационный взнос составляет сумму эквивалентную 50 долларам США, и может быть внесен непосредственно в процессе регистрации на конференции.

Оплату организационного взноса с точной формулировкой комментария к платежу (ссылкой на регистрационный номер доклада и первой фамилии авторов) необходимо перечислить после получения третьего информационного сообщения, в котором будут указаны платежные реквизиты.

Организационный взнос включает: издание программы конференции, сборник тезисов докладов конференции, кофе-брейк, частичное покрытие расходов на организацию и проведение конференции.

По рекомендации оргкомитета и желанию авторов лучшие доклады в виде научной статьи могут быть напечатаны в специализированном научном издании "Вестник Кременчугского государственного университета им. Михаила Остроградского ", внесенном в Перечень ВАК Украины, утвержденном постановлением № 1-05/3 от 27.05.2009 г. Научный журнал прошел регистрацию (свидетельство о регистрации серии КВ № 18771-7571 ПР от 30.01.2012 г.) и внесен в Перечень № 1 специализированных изданий, в которых могут публиковаться результаты диссертационных работ на соискание ученых степеней доктора и кандидата технических наук. Журнал выходит шесть раз в год. Требования к оформлению статей и условия публикации приведены на сайте университета (http://www.kdu.edu.ua/publ/visnik3.html).

После оплаты копии платежных поручений о перечислении организационного взноса лучше посылать в электронном виде на электронный почтовый ящик (или обычной почтой на адрес оргкомитета).

Зарубежные участники конференции оплачивают организационный взнос и стоимость опубликования докладов наличными при регистрации.

Контрольные даты работы конференции:

  1. Заявка на участие в конференции подаётся вместе с тезисами доклада – до 25.01.13 г. (Просьба к участникам конференции обязательно заполнить и прислать вместе с заявкой регистрационную карточку участника конференции с действующими реквизитами – см. Приложение 2). Тезисы, не соответствующие указанным требованиям, к печати приниматься не будут и не возвращаются.

  2. Рассылка второго информационного сообщения с решением о принятии тезисов к печати - до 15.03.13 г.

  3. Рассылка третьего информационного сообщение с приглашением на конференцию и реквизитами оплаты организационного взноса – до 02.04.13 г.

  4. Перечисление организационного взноса – до 05.05.13 г.


Проведение конференции и проживание планируется на базе санатория - профилактория "Ивушка" ПАО "УКРТАТНАФТА", http://www.ivushka.com.ua., Стоимость проживания составляет 90 грн. в сутки, стоимость трехразового питания составляет 75 грн.


В рамках работы конференции планируется проведение выставки современных разработок по фотовольтаике, информационным технологиям и полупроводниковым материалам. Приглашаем всех заинтересованных принять участие в выставке.


Адрес для переписки: 39600, г. Кременчуг, ул. Первомайская, 20, Кременчугский национальный университет им. Михаила Остроградского, кафедра ИУС

Контактная информация:

Клюй Николай Иванович, председатель организационного комитета,

Тел. +38(044)5256202

klyui@isp.kiev.ua

Самойлов Андрей Николаевич, технический секретарь

Тел. +38(05366)30157

+380677324659,

Е-mail: kafius@kdu.edu.ua

Е-mail: seticom@yandex.ru

Информация для авторов и участников конференции размещена на странице http://tniks.kdu.edu.ua/conf/


Спонсорский пакет


Организационный комитет II Международной научно-практической конференции «Полупроводниковые материалы, информационные технологии и фотовольтаика» предлагает фирмам и организациям рассмотреть возможность участия в спонсорской программе конференции и использовать наше мероприятие для рекламы своей компании, продукции или услуг.

Мы предлагаем размещение логотипа фирмы и рекламных полос на страницах информационных писем, сборника тезисов, программы, списка участников и других материалов конференции.

Пакет для генерального спонсора конференции (стоимость – 7000 грн.):

  • размещение логотипа на первой странице программы и сборника тезисов докладов конференции;

  • размещение рекламной полосы в программе конференции;

  • размещение баннера спонсора в фойе и в конференц-зале;

  • представление спонсора во время открытия конференции;

  • бесплатное участие двух сотрудников фирмы-спонсора во всех мероприятиях конференции.

Пакет для официальных спонсоров конференции (стоимость – 5000 грн.):

  • размещение логотипа на второй странице программы и сборника тезисов докладов конференции;

  • размещение рекламной полосы в программе конференции;

  • представление спонсора во время открытия конференции;

  • бесплатное участие одного сотрудника фирмы-спонсора во всех мероприятиях конференции.

Приложение 1


Требования к оформлению рукописей тезисов докладов

Обязательные элементы рукописи тезисов:

  • индекс УДК (Times New Roman, 12);

  • заголовок (Times New Roman, 14, прописными);

  • фамилии авторов (Times New Roman, 12);

  • название организации (Times New Roman, 12);

  • E-mail;

  • основной текст тезисов (Times New Roman, 14); .

  • выводы (Times New Roman, 14);

  • список использованной литературы (в соответствии с требованиями ДСТУ ГОСТ 7.1: 2006) (Times New Roman, 12) .

Язык рукописи: тезисы подаются украинском, русском или английском языках и печатаются языком оригинала.

Оформление рукописи тезисов: тезисы подаются в виде файла формата .rtf для MS Word 97 (или версия MS Word 2003, но не MS Word 2007 и не MS Word 2010 ) на CD, или по E-mail на два адреса: kafius@kdu.edu.ua, seticom@yandex.ru. Основной текст должен быть набран через 1 интервал, шрифт Times New Roman, 12 пт. с обычным межсимвольным расстоянием; все поля - 20 мм.

Таблицы должны быть выполнены в Excel или Word без заливки; формулы должны быть выполнены в редакторе формул MS Equaition.

Рисунки, выполнены в Word, должны быть сгруппированы и представлять один графический объект. Все иллюстрации нужно подавать в чёрно – белом варианте или в градациях серого цвета.

Штриховые графические объекты, графики, диаграммы подаются в формате WMF или TIFF. Растровые иллюстрации подаются в оригинале (фотоснимок, рисунок, негатив или слайд), который после сканирования отдается автору, или сканированные в формате TIFF 300-600 dpi, отдельными файлами.

Объём тезисов – не меньше 1 страницы и не больше 2 страниц формата А4.

Список использованной литературы ограничивается пятью источниками.

Тезисы, которые не отвечают указанным требованиям, к печати приниматься не будут и не возвращаются.


Образец


20 мм



УДК 621.315.592



МОДЕЛИРОВАНИЕ ПРОЦЕССА СОЗДАНИЯ МИКРОДЕФЕКТОВ В ПРОЦЕССЕ ВИРАЩИВАНИЯ СЛИТКОВ КРЕМНИЯ


А.П. Иванов1, С.О. Петров, О.В. Сидоров

Кременчугский национальный университет им. Михаила Остроградского, per@kdu.edu.ua

1 Харьковский национальный университет радиоэлектроники.


Проблема повышения качества выращенных слитков кремния по праву считается одной из главных задач развития технологии полупроводниковой электроники. Анализ формирования и распределения микродефектов в выращиваемых слитках кремния показал, что они имеют фундаментальный и аппаратный характер [1, 2].

.....

Выводы

1.

2.

......

ЛИТЕРАТУРА

  1. Эйдензон, А.М. Выращивание совершенных монокристаллов кремния методом Чохральского [Текст] / А.М. Эйдензон, Н.И. Пузанов // Неорганические материалы. - 1997. – Т. 33. - № 3. – с. 272-279.

  2. Ландау, Л.Д. Статистическая физика : учебн. [для студ. высш. уч. завед.] [Текст] / Л.Л. Ландау, Е.М. Лифшиц. – М.: Наука, 1973. – 568 с.

  3. Надточий, В.А. Микропластичность и электрические свойства приповерхностных слоев алмазоподобных проводников деформированных при низких температурах [Текст] / В.А. Надточий, Н.К. Нечволод, Н.А. Голоденко // 1-ая Украинская научная конференция по физике полупроводников, Одесса, 10-14 июня 2002 г. : Тезисы докладов. – Одесса: Астропринт. – Т. 2. – с. 70.







20 мм


20 мм






20 мм

Приложение 2

Регистрационная карточка участника конференции “ПМИТФ- 2013”



Фамилия

Имя Отчество

Научная степень Учёное звание

Должность

Название организации

Адрес организации

Адрес для переписка (если отличается от адреса организации)



Почтовый код Страна

Телефон Факс

Е-mail

Название доклада


Обозначьте соответствующие пункты:

  • Я хотел бы представить доклад (тезисы прилагаю);

  • Я планирую приехать без доклад.


Я хотел бы, чтобы мой доклад был представлен в направлении (нужное зачеркнуть - Х)

1

2

3

4

5

6

7

8

9

10

11

12



как  устный доклад *  стендовый доклад *



*Окончательное решение об презентации доклада (устный/стендовый) будет принято программным комитетом.



Похожие:

Іi международная научно-практическая конференция “ полупроводниковые материалы, информационные технологии и фотовольтаика iconVii международная научно-практическая конференция «информационные и коммуникационные технологии в образовании»
Государственное бюджетное образовательное учреждение дополнительного профессионального образования Свердловской области
Іi международная научно-практическая конференция “ полупроводниковые материалы, информационные технологии и фотовольтаика iconInternational banking institute X международная научно-практическая конференция
А43 Актуальные проблемы экономики и новые технологии преподавания (Смирновские чтения): Материалы X международной научно-практической...
Іi международная научно-практическая конференция “ полупроводниковые материалы, информационные технологии и фотовольтаика iconТематический план мероприятий Международного научно-технического конгресса
Международная научно-практическая конференция «Энергоэффективные и экобезопасные технологии ХХI века»
Іi международная научно-практическая конференция “ полупроводниковые материалы, информационные технологии и фотовольтаика iconОтчет о научно-исследовательской работе
Квалификации, открытое образование, международная конференция, информационно-образовательная среда, Интернет, Телеконференции, электронные...
Іi международная научно-практическая конференция “ полупроводниковые материалы, информационные технологии и фотовольтаика icon2 0 1 2 III международная научно-практическая конференция «Инновационные технологии в сервисе»
Межпарламентская Ассамблея государств – участников Содружества Независимых Государств
Іi международная научно-практическая конференция “ полупроводниковые материалы, информационные технологии и фотовольтаика icon1 Всероссийская научно-практическая конференция по экзистенциальной психологии: материалы сообщений
Всероссийская научно-практическая конференция по экзистенциальной психологии: материалы сообщений. М.: Смысл, 2001. — 000 с
Іi международная научно-практическая конференция “ полупроводниковые материалы, информационные технологии и фотовольтаика iconXix международная научно-практическая конференция студентов и молодых ученых Современные техника и технологии стт- 2013
В соответствии с перечнем научных мероприятий на 2013 г. Министерства образования и науки РФ
Іi международная научно-практическая конференция “ полупроводниковые материалы, информационные технологии и фотовольтаика iconНазвание работы
Наименование конференции: Международная научно-практическая конференция «Первые шаги в науку»
Іi международная научно-практическая конференция “ полупроводниковые материалы, информационные технологии и фотовольтаика iconИнформационный бюллетень №1 январь 2013 г
Международная научно-практическая конференция «Государство и общество: проблемы взаимодействия»
Іi международная научно-практическая конференция “ полупроводниковые материалы, информационные технологии и фотовольтаика iconVii международная научно-практическая дистанционная конференция "Современная психология: теория и практика" 21-22 декабря 2012 г
Оргкомитет Международной научно-практической конференции «Наука, техника и высшее образование» (Science, Technology and Higher Education)...
Разместите кнопку на своём сайте:
Библиотека


База данных защищена авторским правом ©lib2.znate.ru 2012
обратиться к администрации
Библиотека
Главная страница