Саратовский государственный технический университет




Скачать 10,47 Kb.
НазваниеСаратовский государственный технический университет
Дата04.02.2016
Размер10,47 Kb.
ТипПрограмма
Саратовский государственный технический университет

имени Гагарина Ю.А.


Кафедра «Электронные приборы и устройства»


«Утверждаю»

Проректор СГТУ по УР

проф. Лобачева Г.В.


______________________


Программа

междисциплинарного вступительного

экзамена в магистратуру по направлению

210100.68 «Электроника и наноэлектроника»


Программа обсуждена

на заседании кафедры «15» января 2013г. протокол № 18

Зав. кафедрой____________Захаров А.А.


Программа утверждена на заседании УМКС по направлению «Электроника и наноэлектроника»

«15» января 2013г. протокол № 2

Председатель УМКС/УМКН

___________________Захаров А.А.


Саратов 2013г.

Вступительные испытания в магистратуру

по направлению «Электроника и наноэлектроника»


1.СТРУКТУРА


    1. Программа (включает элементы программ нижеследующих дисциплин)

1.1.1.Физика твердотельных приборов и устройств

1.1.2.Квантовая и оптическая электроника

1.1.3.Метрология, стандартизация, сертификация

1.1.4.Микроэлектроника

1.1.5.Вакуумная и плазменная электроника


    1. Тестовые задания

2. СОДЕРЖАНИЕ

    1. Программа вступительных испытаний

    2. Физика твердотельных приборов и устройств

Разделы дисциплины

Введение. Физические и математические модели процессов, определяющих величины концентраций носителей заряда (НЗ) в твердом теле (ТТ). Энергетическая зона и плотность состояний в ней. Концентраций НЗ в невырожденном и вырожденном полупроводниках. Температурные зависимости концентраций НЗ и положения уровня Ферми в твердом теле. Физика процессов токопрохождения в модели тонкого электронно-дырочного перехода (ЭДП). ВАХ модели тонкого перехода. ВАХ моделей толстого и ограниченного ЭДП. ВАХ и свойства контакта «металл-полупроводник». Барьерная и диффузионная емкости ЭДП. Основные виды рассеяния НЗ в твердом теле, температурная зависимость параметров рассеяния. Приповерхностная проводимость и эффект поля в твердом теле.

    1. Квантовая и оптическая электроника

Разделы дисциплины

Излучение и поглощение электромагнитных волн веществом. Квантовое усиление и генерация, населённости уровней, инверсное состояние вещества. Принцип работы квантовых усилителей и генераторов, оптические резонаторы. Газовые лазеры. Твердотельные лазеры. Полупроводниковые лазеры. Принцип голографии. Голографические запоминающие устройства. Голографические схемы записи и считывания информации.

    1. Метрология, стандартизация, сертификация

Разделы дисциплины

МЕТРОЛОГИЯ Физические свойства, величины и шкалы. Системы физических величин и их единиц. Международная система единиц (система СИ). Воспроизведение единиц физических величин и передача их размеров. Эталоны единиц системы СИ. Модель измерения и основные постулаты метрологии. Виды и методы измерений. Погрешности измерений. Качество измерений. Методы обработки результатов измерений. Динамические измерения и динамические погрешности. Основные понятия теории метрологической надежности. Понятие об использовании и контроле. Принципы выбора средств измерений. Основы метрологического обеспечения. Нормативно-правовые основы метрологии. Метрологические службы и организации. Государственный метрологический надзор и контроль.

СТАНДАРТИЗАЦИЯ. Основы государственной системы стандартизации. Работы, выполняемые при стандартизации. Научно-технические принципы и методы стандартизации. Категории и виды стандартов. Стандартизация отклонений геометрических параметров деталей. Государственный контроль и надзор за соблюдением требований государственных стандартов.

СЕРТИФИКАЦИЯ. Определение сертификации. Виды сертификации. Система сертификации. Основные стадии сертификации. Нормативно-методическое обеспечение сертификации. Деятельность органов по сертификации и испытательных лабораторий.

    1. Микроэлектроника

Разделы дисциплины

Особенности ИМС как электронных приборов нового типа. Полупроводниковые переходы и контакты. Основные структурные элементы ИМС. Технология изготовления, топология и структура ИМС. Классификация электронных схем. Статические и динамические характеристики простейших логических ИМС. Основы цифровой схемотехники. Схемы комбинационного и последовательного типа. Аналоговые ИМС. Операционный усилитель. Усилители на МОП ИМС. Совмещенные логические элементы. МЕП логические элементы. СБИС. Микропроцессоры. Запоминающие устройства. Надежность ИМС. Перспективы развития микроэлектроники.

    1. Вакуумная и плазменная электроника

Разделы дисциплины

Термоэлектронная эмиссия из металлов. Формула Ричардсона-Дешмана. Эмиссия из полупроводников. Эмиссионная пятнистость катода, влияние структуры катода на термоэмиссию. Фотоэлектронная эмиссия металлов. Теория Фаулера. Фотоэлектронная эмиссия полупроводников. Теория Спайсера. Эффективные фотоэмиттеры Вторичная электронная эмиссия и ее применение в электронике. Влияние электрических полей на характер эмиссии. ФЭУ и их применение. Пороговая чувствительность фотоприборов. Зависимость минимального сигнала от конструкции и температуры Автоэлектронная эмиссия и ее природа. Теория холодной эмиссии. Влияние внешних полей на эмиссию. Движение электронов в электрическом поле и особенности их траектории. Движение электронов в вакууме с учетом объемного заряда. Закон 3/2. Ток насыщения и его зависимость от электрического поля (эффект Шоттки). Движение электронов в магнитном поле. Фокусировка электронов. Движение электронов в продольных электрических и магнитных полях. Движение электронов в скрещенных Е и В полях. Законы сохранения энергии в магнитном поле. Особенности движения электронов в сильных, переменных полях (t) и неоднородных электрических и магнитных полях. Уравнения моментов для функции распределения частиц по скоростям. Силы, действующие на заряженные частицы в газе. Особенности дрейфового и диффузионного движение в газе, влияние внешних полей на характеристики движения частиц. Влияние диэлектрических стенок на свойства тока в газе: плазма, отражение стенками, дебаевская длина. Поле заряда в плазме - дебаевский радиус экранирования. Амбиполярное движение в газе- расчет поперечных скоростей и поперечных составляющих электрического поля, условие Шоттки. Влияние магнитных полей на характер движения частиц в газе. Связь продольной компоненты электрического поля с хаотическим движением частиц, эффект Холла в плазме. Самостоятельный и несамостоятельный ток в газе, его применение в электронике. Закон Пашена-Петрова. Зависимость напряжения зажигания от Е/р. Пеннинговские смеси газов, их применение. Вольтамперная характеристика газового разряда. Виды разрядов в газе и их особенности.

Нормальные и аномальные тлеющие разряды, их применение в электронике. Газовые лазеры. Приборы с накаленным катодом. Положительный столб газового разряда и его свойства. Влияние диэлектрических стенок на свойства положительного столба разряда: амбиполярная диффузия, двойной слой на диэлектрической стенке, ограничивающей плазму, радиус Дебая. Границы применимости метода моментов для описания процессов в газоразрядных приборах. Диэлектрики в электрическом поле, классы диэлектриков, Дипольный (электрический) момент нейтрального атома, поляризация. Теория ориентационной поляризуемости Дебая. Закон Кюри. Пьезоэлектрический эффект и сегнетоэлектричество. Действие переменных полей на атом. Вынужденные колебания атома в модели гармонического осциллятора. Дисперсия и поглощение электромагнитных волн в атоме

Действие магнитных полей на вещество в электронной технике: диамагнетизм, парамагнетизм и ферромагнетизм. Магнитный резонанс. Перспективы развития вакуумных и плазменных приборов.


Рекомендованная литература

  1. Спиридонов О.П. Физические основы твердотельной электроники : учеб. пособие / О. П. Спиридонов. - М. : Высшая школа, 2008. - 191 с.

  2. Гуртов В.А. Твердотельная электроника : учеб. пособие / В. А. Гуртов. - 3-е изд., доп. - М. : Техносфера, 2008. - 512 с.

  3. Блохинцев Д. И. Основы квантовой механики. – Спб, «Лань», 2008. – 672 с.

  4. Щука А.А.Электроника: учеб. пособие / А. А. Щука ; под ред. А. С. Сигова. - СПб. : БХВ-Петербург, 2006. - 800 с.

  5. Дудкин В.И. Квантовая электроника. Приборы и их применение : учеб. пособие / В. И. Дудкин, Л. Н. Пахомов. - М. : Техносфера, 2006. - 432 с. : ил.

  6. Малышев В.А. Основы квантовой электроники и лазерной техники : учеб. пособие / В. А. Малышев. - М. : Высш. шк., 2005.

  7. Димов Ю.В. Метрология, стандартизация и сертификация: Учебник для вузов. 3-е изд. – СПб.: Питер, 2010. – 464с.

  8. Гугелев А.В. Стандартизация, метрология и сертификация: учеб. пособие / А.В. Гугелев. – М.: ИТК «Дашков и К», 2009. – 272с.

  9. Метрология, стандартизация, сертификация : учебник / Б.Я. Авдеев [и др.]; под ред. В.В. Алексеева. – М.: ИЦ «Академия», 2007. – 384с.

  10. Письменный Д.Т. Конспект лекций по теории вероятностей, математической статистике и случайным процессам / Дмитрий Письменный. – 4-е изд., испр.- М.: Айрис-пресс, 2008.- 288с. – (Высшее образование).

  11. Коледов Л.А. Технология и конструкции микросхем, микропроцессоров и микросборок. – СПб.: Лань, 2008.

  12. Марголин В.И., Жабрев В.А., Тупик В.А. Физические основы микроэлектроники. – М.: ИЦ «Академия», 2008.

  13. Ефимов И.Е., Козырь И.Я. Основы микроэлектроники. – СПб.: Лань, 2008.

  14. Коваленко А.А. Основы микроэлектроники. – М.: ИЦ «Академия», 2008.

  15. Аваев Н.А., Наумов Ю.Е., Фролкин В.Т. Основы микроэлектроники. – М.: Радио и связь, 2005.

  16. Д.А. Франк-Каменский. Лекции по физике плазмы. М.: Интеллект, 2008.

Похожие:

Саратовский государственный технический университет iconИнтеллектуальная миграция малого российского города
Защита состоится «16» декабря 2010 г в 11 часов на заседании диссертационного совета д 212. 242. 03 при гоу впо «Саратовский государственный...
Саратовский государственный технический университет iconРоссийской федерации
Тамбовский государственный технический университет, Томский государственный университет, Тульский государственный университет, Тюменский...
Саратовский государственный технический университет iconРоссийской Федерации Федеральное агентство по образованию Саратовский государственный технический университет
«Физические и химические методы исследования поверхности металлов и твердых тел»
Саратовский государственный технический университет iconСаратовский государственный технический университет проектирование технологической оснастки
Вспомогательные устройства, используемые при механической обработке, сборке, контроле изделий называют приспособлениями
Саратовский государственный технический университет iconРоссийской Федерации Федеральное агентство по образованию Саратовский государственный технический университет
Определение геометрических параметров шарнирного многозвенника. Построение плана положений механизма
Саратовский государственный технический университет iconЛогистические системы розничных торговых сетей
Работа выполнена в Федеральном государственном бюджетном образовательном учреждении высшего профессионального образования «Саратовский...
Саратовский государственный технический университет iconРоссийской Федерации Саратовский государственный технический университет Технологический институт (филиал) сгту кафедра Материаловедение
Определение геометрических параметров шарнирного четырехзвенника. Построение плана положений механизма
Саратовский государственный технический университет iconФункционирование системы рентных отношений: противоречия, особенности, динамика
Защита состоится 23 октября 2008 года в 13 часов на заседании диссертационного совета Д. 212. 241. 02 при гоу впо «Саратовский государственный...
Саратовский государственный технический университет iconРоссийской Федерации Федеральное агентство по образованию Саратовский государственный технический университет
Цель работы: практическое ознакомление с основными типами сверл и приобретение навыков контроля их геометрических и конструк­тивных...
Саратовский государственный технический университет iconГосударственное образовательное учреждение высшего профессионального образования «самарский государственный технический университет» приглашает 18-20 сентября 2009 г
Самарский государственный технический университет" Сокращенное наименование: гоу впо "Самгту"
Разместите кнопку на своём сайте:
Библиотека


База данных защищена авторским правом ©lib2.znate.ru 2012
обратиться к администрации
Библиотека
Главная страница