Саратовский государственный технический университет
Скачать 10,47 Kb.
|
| Саратовский государственный технический университет имени Гагарина Ю.А. Кафедра «Электронные приборы и устройства» «Утверждаю» Проректор СГТУ по УР проф. Лобачева Г.В. ______________________ Программа междисциплинарного вступительного экзамена в магистратуру по направлению 210100.68 «Электроника и наноэлектроника» Программа обсуждена на заседании кафедры «15» января 2013г. протокол № 18 Зав. кафедрой____________Захаров А.А. Программа утверждена на заседании УМКС по направлению «Электроника и наноэлектроника» «15» января 2013г. протокол № 2 Председатель УМКС/УМКН ___________________Захаров А.А. Саратов 2013г. Вступительные испытания в магистратуру по направлению «Электроника и наноэлектроника» 1.СТРУКТУРА
1.1.1.Физика твердотельных приборов и устройств 1.1.2.Квантовая и оптическая электроника 1.1.3.Метрология, стандартизация, сертификация 1.1.4.Микроэлектроника 1.1.5.Вакуумная и плазменная электроника
2. СОДЕРЖАНИЕ
Разделы дисциплины Введение. Физические и математические модели процессов, определяющих величины концентраций носителей заряда (НЗ) в твердом теле (ТТ). Энергетическая зона и плотность состояний в ней. Концентраций НЗ в невырожденном и вырожденном полупроводниках. Температурные зависимости концентраций НЗ и положения уровня Ферми в твердом теле. Физика процессов токопрохождения в модели тонкого электронно-дырочного перехода (ЭДП). ВАХ модели тонкого перехода. ВАХ моделей толстого и ограниченного ЭДП. ВАХ и свойства контакта «металл-полупроводник». Барьерная и диффузионная емкости ЭДП. Основные виды рассеяния НЗ в твердом теле, температурная зависимость параметров рассеяния. Приповерхностная проводимость и эффект поля в твердом теле.
Разделы дисциплины Излучение и поглощение электромагнитных волн веществом. Квантовое усиление и генерация, населённости уровней, инверсное состояние вещества. Принцип работы квантовых усилителей и генераторов, оптические резонаторы. Газовые лазеры. Твердотельные лазеры. Полупроводниковые лазеры. Принцип голографии. Голографические запоминающие устройства. Голографические схемы записи и считывания информации.
Разделы дисциплины МЕТРОЛОГИЯ Физические свойства, величины и шкалы. Системы физических величин и их единиц. Международная система единиц (система СИ). Воспроизведение единиц физических величин и передача их размеров. Эталоны единиц системы СИ. Модель измерения и основные постулаты метрологии. Виды и методы измерений. Погрешности измерений. Качество измерений. Методы обработки результатов измерений. Динамические измерения и динамические погрешности. Основные понятия теории метрологической надежности. Понятие об использовании и контроле. Принципы выбора средств измерений. Основы метрологического обеспечения. Нормативно-правовые основы метрологии. Метрологические службы и организации. Государственный метрологический надзор и контроль. СТАНДАРТИЗАЦИЯ. Основы государственной системы стандартизации. Работы, выполняемые при стандартизации. Научно-технические принципы и методы стандартизации. Категории и виды стандартов. Стандартизация отклонений геометрических параметров деталей. Государственный контроль и надзор за соблюдением требований государственных стандартов. СЕРТИФИКАЦИЯ. Определение сертификации. Виды сертификации. Система сертификации. Основные стадии сертификации. Нормативно-методическое обеспечение сертификации. Деятельность органов по сертификации и испытательных лабораторий.
Разделы дисциплины Особенности ИМС как электронных приборов нового типа. Полупроводниковые переходы и контакты. Основные структурные элементы ИМС. Технология изготовления, топология и структура ИМС. Классификация электронных схем. Статические и динамические характеристики простейших логических ИМС. Основы цифровой схемотехники. Схемы комбинационного и последовательного типа. Аналоговые ИМС. Операционный усилитель. Усилители на МОП ИМС. Совмещенные логические элементы. МЕП логические элементы. СБИС. Микропроцессоры. Запоминающие устройства. Надежность ИМС. Перспективы развития микроэлектроники.
Разделы дисциплины Термоэлектронная эмиссия из металлов. Формула Ричардсона-Дешмана. Эмиссия из полупроводников. Эмиссионная пятнистость катода, влияние структуры катода на термоэмиссию. Фотоэлектронная эмиссия металлов. Теория Фаулера. Фотоэлектронная эмиссия полупроводников. Теория Спайсера. Эффективные фотоэмиттеры Вторичная электронная эмиссия и ее применение в электронике. Влияние электрических полей на характер эмиссии. ФЭУ и их применение. Пороговая чувствительность фотоприборов. Зависимость минимального сигнала от конструкции и температуры Автоэлектронная эмиссия и ее природа. Теория холодной эмиссии. Влияние внешних полей на эмиссию. Движение электронов в электрическом поле и особенности их траектории. Движение электронов в вакууме с учетом объемного заряда. Закон 3/2. Ток насыщения и его зависимость от электрического поля (эффект Шоттки). Движение электронов в магнитном поле. Фокусировка электронов. Движение электронов в продольных электрических и магнитных полях. Движение электронов в скрещенных Е и В полях. Законы сохранения энергии в магнитном поле. Особенности движения электронов в сильных, переменных полях (t) и неоднородных электрических и магнитных полях. Уравнения моментов для функции распределения частиц по скоростям. Силы, действующие на заряженные частицы в газе. Особенности дрейфового и диффузионного движение в газе, влияние внешних полей на характеристики движения частиц. Влияние диэлектрических стенок на свойства тока в газе: плазма, отражение стенками, дебаевская длина. Поле заряда в плазме - дебаевский радиус экранирования. Амбиполярное движение в газе- расчет поперечных скоростей и поперечных составляющих электрического поля, условие Шоттки. Влияние магнитных полей на характер движения частиц в газе. Связь продольной компоненты электрического поля с хаотическим движением частиц, эффект Холла в плазме. Самостоятельный и несамостоятельный ток в газе, его применение в электронике. Закон Пашена-Петрова. Зависимость напряжения зажигания от Е/р. Пеннинговские смеси газов, их применение. Вольтамперная характеристика газового разряда. Виды разрядов в газе и их особенности. Нормальные и аномальные тлеющие разряды, их применение в электронике. Газовые лазеры. Приборы с накаленным катодом. Положительный столб газового разряда и его свойства. Влияние диэлектрических стенок на свойства положительного столба разряда: амбиполярная диффузия, двойной слой на диэлектрической стенке, ограничивающей плазму, радиус Дебая. Границы применимости метода моментов для описания процессов в газоразрядных приборах. Диэлектрики в электрическом поле, классы диэлектриков, Дипольный (электрический) момент нейтрального атома, поляризация. Теория ориентационной поляризуемости Дебая. Закон Кюри. Пьезоэлектрический эффект и сегнетоэлектричество. Действие переменных полей на атом. Вынужденные колебания атома в модели гармонического осциллятора. Дисперсия и поглощение электромагнитных волн в атоме Действие магнитных полей на вещество в электронной технике: диамагнетизм, парамагнетизм и ферромагнетизм. Магнитный резонанс. Перспективы развития вакуумных и плазменных приборов. Рекомендованная литература
|
Похожие:
 | Интеллектуальная миграция малого российского города Защита состоится «16» декабря 2010 г в 11 часов на заседании диссертационного совета д 212. 242. 03 при гоу впо «Саратовский государственный... | | Российской федерации Тамбовский государственный технический университет, Томский государственный университет, Тульский государственный университет, Тюменский... |
| Российской Федерации Федеральное агентство по образованию Саратовский государственный технический университет «Физические и химические методы исследования поверхности металлов и твердых тел» | | Саратовский государственный технический университет проектирование технологической оснастки Вспомогательные устройства, используемые при механической обработке, сборке, контроле изделий называют приспособлениями |
| Российской Федерации Федеральное агентство по образованию Саратовский государственный технический университет Определение геометрических параметров шарнирного многозвенника. Построение плана положений механизма | | Логистические системы розничных торговых сетей Работа выполнена в Федеральном государственном бюджетном образовательном учреждении высшего профессионального образования «Саратовский... |
| Российской Федерации Саратовский государственный технический университет Технологический институт (филиал) сгту кафедра Материаловедение Определение геометрических параметров шарнирного четырехзвенника. Построение плана положений механизма | | Функционирование системы рентных отношений: противоречия, особенности, динамика Защита состоится 23 октября 2008 года в 13 часов на заседании диссертационного совета Д. 212. 241. 02 при гоу впо «Саратовский государственный... |
| Российской Федерации Федеральное агентство по образованию Саратовский государственный технический университет Цель работы: практическое ознакомление с основными типами сверл и приобретение навыков контроля их геометрических и конструктивных... | | Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования «самарский государственный технический университет» приглашает 18-20 сентября 2009 г Самарский государственный технический университет" Сокращенное наименование: гоу впо "Самгту" |