«Инжиниринг в электронике» Методы математического моделирования (Автор: к т. н., доцент Рябов Н. И.)




Скачать 19.04 Kb.
Название«Инжиниринг в электронике» Методы математического моделирования (Автор: к т. н., доцент Рябов Н. И.)
страница2/4
Дата03.02.2016
Размер19.04 Kb.
ТипТематический план
1   2   3   4
Тематический план

  1. Введение в управление проектами;

  2. Сущность и организация управления проектами;

  3. Процессы и функции управления проектами;

  4. Маркетинговая деятельность и технико-экономические исследования по проекту и оценка его эффективности;

  5. Организация реализации инновационного проекта;

  6. Управление ресурсами;

  7. Управление конфигурацией;

  8. Управление персоналом и коммуникациями проекта;

  9. Управление рисками инновационного проекта;

  10. Информационные технологии управления инновационными проектами;

  11. Контроль хода выполнения проекта.



Литература

Основная:

  1. Мазур, И.И. Управление проектами / И.И. Мазур, В.Д. Шапиро, Н.Г. Ольдерогге. Под общей ред. проф. Мазура И.И. – Москва: ОМЕГА-Л, 2004. – 664с.

  2. Мазур И.И. Управление проектами: Уч. Псобие/ И.И. Мазур, В.Д. Шапиро, Н.Г. Ольдерогге. М.: ОМЕГА-Л, 2006

  3. А.А. Дульзон. Управление проектами: Учебное пособие. – Томск: Изд-во ТПУ, 2010. – 335 с.

  4. Управление проектами: Основы профессиональных знаний, Национальные требования к компетентности специалистов (NCB – SOVNET National Competence Baseline Version 3.0) / Андреев А. А., Бурков В. Н, Воропаев В. И.,Дорожкин В. Р., Дубовик М. Ф. ,Миронова Л. В.,Палагин В. С., Полковников А. В., Секлетова Г. И., Титаренко Б. П., Товб А. С., Трубицын Ю. Ю., Ципес Г. Л.; СОВНЕТ. – М., 2010.

  5. Товб А.С., Ципес ГЛ. Управление проектами: стандарты, методы опыт. М., 2003


Дополнительная:

    1. Мазур И.И., Шапиро В.Д. и др. Управление проектами. Справочное пособие. - М.: Высшая школа, 2001.

    2. Национальная ассоциация управления проектами «Совнет» [Электронный ресурс]. – Режим доступа: http://www.sovnet.ru, свободный.

    3. Ивасенко А.Г. Управление проектами: учебное пособие/ А.Г. Ивасенко, Я.И. Никонова, М.В. Каркавин – Ростов н/Д: Фенкис, 2009. – 330 с

    4. Томпсон-мл. А.А. Стратегический менеджмент: концепции и ситуации для анализа / А.А.Томпсон-мл., А.Дж.Стрикленд ІІІ. 12-е изд. М.: Вильямс, 2007. 928 с.

  1. Грачева М.В. Анализ проектных рисков. Учебное пособие. М.: Фин-
    статинформ, 1999.

  2. Бенко К., Управление портфелями проектов. Соответсвие проектов стратегическим целям компании. / К. Бенко, У. Макфарлан М.: Вильямс, 2007

  3. Гонтарева И.В. Управление проектами: Учебно пособие/ И.В. Гонтарева, Р.М. Нижегородцев, Д.А. Новиков. М.: Книжный дом «ЛИБРОКОМ», 2009. 384 с

  4. A guide to the project management body of knowledge (PMBoK Guide) / Project Management Institute. – 4d ed. – Town Square, 2004

  5. Project Management, Clifford F.Gray, Erik W.Larson, Irwin McGraw-Hill, USA, 2000

  6. Institute of Electrical and Electronics Engineers [Electronic resource]. – Mode of access: http://www.ieee.org, free

  7. Project Management Resource Center [Electronic resource]. – Mode of access: http://www.allpm.com, free.



Аннотации учебных курсов специализации

«Инжиниринг в микро и наноэлектронике»

Проектирование и технология электронной компонентной базы

(Авторы – доц., к.т.н. Б.А. Лапшинов, проф., к.т.н. Харитонов И.А.


Аннотация

Данный курс включен в базовую часть профессионального цикла подготовки магистров 2-го года обучения и направлен на приобретение студентами знаний о методах расчета, проектирования, конструирования и модернизации электронной компонентной базы с учетом заданных требований и с использованием пакетов программ для проектирования; на изучение физических принципов и основных технологических процессах формирования структур приборов твердотельной электроники инаноэлектрники.


Цели курса

Целями освоения дисциплины "Проектирование и технология электронной компонентной базы" является формирования у студентов знаний о методах проектирования электронной компонентной базы современных и перспективных изделий микро- и наноэлектроники, назначении, физических принципах и методики выполнения основных технологических процессов производства приборов микро- и наноэлектроники


Тематический план

1. Технологические особенности производства электронной компонентной базы.

2. Основные технологические процессы микроэлектронного производства.

3. Возможности, ограничения и перспективы развития литографических процессов.

4. Плазменные и плазмохимические процессы в технологии производства электронной компонентной базы.

5. Современные подходы к проектированию электронной компонентной базы.

6. Проектирование БИС на основе базовых матричных кристаллов (БМК).

7. Проектирование фрагментов аналоговых микросхем.

8. Перспективные направления развития элементной базы БИС и СБИС.


Литература

1. Королев М.А. Технология, конструкции и методы моделирования кремниевых интегральных микросхем: в 2 ч.\/ М.А. Королев, Т.Ю. Крупкина, М.А. Ревелева; под общей ред. Ю.А. Чаплыгина. –М.: БИНОМ. Лаборатория знаний. Ч.1: Технологические процессы изготовления кремниевых интегральных схем и их моделирование. – 2007.

2. Киреев В.Ю. Введение в технологии микроэлектроники и наноэлектроники. – 2008.

3. В.Ю. Киреев, А.А. Столяров. Технологии микроэлектроники. Химическое осаждение из газовой фазы. – 2006.

4. Л.А. Коледов. Технология и конструкции микросхем, микропроцессоров и микросборок. - 2008.

5. Лапшинов Б.А. Технология литографических процессов. Учеб. пособ. М.: МИЭМ, 2011.

6. В.Г. Гусев, Ю.М. Гусев Электроника и микропроцессорная техника// М., Высшая школа, 2004 г., 790 стр.

7. Казённов, Г.Г. Основы проектирования интегральных схем и систем // Г.Г. Казённов. – М.: БИНОМ. Лаборотория знаний, 2009. – 295 с.

8. Петросянц К.О., Харитонов И.А., Стародубов А.Ю. Моделирование работы цифровых устройств с помощью программы PSPICE// РИС МИЭМ, 2005.


Дополнительная литература

1. Плазменные процессы в производстве изделий электронной техники. В 3-х т. Мн.: ФУАинформ, 2000.

2. Попов В.Ф., Горин Ю.Н. Процессы и установки электронно-ионной технологии: Учеб. Пособие для вузов. М. : Высш.шк., 1988.

3. Готра З.Ю. Технология микроэлектронных устройств: Справочник. – М.: Радио и связь, 1991.

4. Технология СБИС /Под ред. С.Зи. Т 1, 2. – М.: Мир, 1986.

5. Бродуай И., Мерей Д. Физические основы микротехнологии. – М.: Мир, 1985.

6. А. Бухтев, Методы и средства проектирования систем на кристалле, // Chip News», 2003 №4.

7. Разевиг В.Д. Система проектирования ORCAD 9.2. // Москва, Солон-Р, 2003.

8. Горячкин Ю. В. Физико-топологическое моделирование в САПР ТСАД / Ю. В. Горячкин, С. А. Нестеров, Б. П. Сурин. – Саранск : Изд-во Мордов. ун-та, 2006. 124 с. – (Учебники Мордовского университета).


Проектирование аналоговых и цифровых устройств

(Автор: д.т.н., профессор Петросянц К. О.)

Аннотация

Данный курс является базовым в вариативной части цикла подготовки магистров 1-го года обучения. Дисциплина посвящена изучению принципов, методов и средств проектирования аналоговых и цифровых электронных устройств. Наряду с описанием базовых концепций, важное место уделяется передовым направлениям в этой области, связанным с проектированием современных микро- и наноэлектронных устройств.

Цель курса

- изучение общей методологии и проектных процедур разработки аналоговых и цифровых устройств;

- изучение архитектуры САПР и типовых маршрутов и прикладного программного обеспечения для проектирования БИС и систем на кристалле (СнК) ведущих зарубежных компаний;

- формирование навыков и умений использования средств САПР и прикладного ПО для решения конкретных практических задач проектирования аналоговых и цифровых устройств.

Тематический план

А. Аналоговые устройства

- особенности проектирования интегральных структур и приборов аналоговых БИС;

- базовые функциональные блоки аналоговых БИС (дифференциальные пары, источники тока, аналоговые ключи, компараторы, операционные усилители, источники опорного напряжения);

- сложные функциональные блоки (АЦП, ЦАП, активные фильтры, схемы фазовой подстройки частоты, генераторы и др.;

- особенности построения топологии.

Б. Цифровые устройства

- описание характеристик логических ячеек;

- разработка комбинационных логических элементов;

- разработка последовательных логических схем (триггеры, регистры и др.);

- проектирование запоминающих устройств и матричных структур;

- проектирование арифметических блоков.

В. Вопросы межсоединений и защиты аналоговых и цифровых БИС

- моделирование паразитных R, L, C цепей и связей;

- размещение элементов и узлов на пластине;

- защита от статического электричества, тиристорного эффекта, помех по цепям питания;

- масштабирование аналоговых и цифровых БИС.


Литература

  1. Казеннов Г.Г. Основы проектирования интегральных схем и систем // М. БИНОМ. Лаборатория знаний, 2005, 296с.

  2. Эннс В.И., Кобзев Ю.М. Проектирование аналоговых КМОП – микросхем // М. Горячая линия – Телеком, 2005, 450с.

  3. Рабаи Ж., Чандракасан А., Николич Б. Цифровые интегральные схемы. Методология проектирования (пер. с англ.). Изд. Дом «Вильямс, Москва–С.-Петербург – Киев, 2007, 912с.

  4. Дж. Уэйкерли. Проектирование цифровых устройств (ч. I и II) // М., Постмаркет; 2002; ч.I-544с.; ч.II-528c.

  5. Суворова Е., Шейнин Ю. Проектирование цифровых систем на VHDL // С.-Петербург, «БХВ-Петербург», 2003, 576с.



Микросхемотехника

(Автор – д.т.н., проф. Петросянц К.О.)


Аннотация

Данный курс включен в вариативную часть профессионального цикла подготовки магистров 2-го года обучения и направлен на приобретение студентами знаний о фундаментальных понятих и положениях микросхемотехники, основных типах современных аналоговых и цифровых интегральных схем, инженерных методиках расчета и проектирования схем различного назначения; умений анализировать и систематизировать научно-техническую информацию в области элементной базы и микроэлектронных устройств различного назначения;


Цель курса

Целью дисциплины является изучение студентами элементной базы современных полупроводниковых микросхем, а также схемо- и системотехнических методов разработки и проектирования аналоговых и цифровых устройств микроэлектроники, автоматики, вычислительной и телекоммуникационной техники, радиоаппаратуры и др.


Тематический план

1. Элементы полупроводниковых микросхем.

2. Основы цифровой схемотехники.

2.1 Базовые логические элементы цифровых микросхем.

2.2. Логические комбинационные микросхемы.

2.3. Логические последовательностные микросхемы.

2.4. Запоминающие устройства.

2.5. Базовые матричные кристаллы и программируемые логические устройства.

2.6. Микропроцессоры.

3. Основы аналоговой микросхемотехники.

4. Аналогово-цифровые и цифро-аналоговые преобразователи.

5. Перспективные направления развития элементной базы БИС и СБИС.


Литература

1. В.Г. Гусев, Ю.М. Гусев Электроника и микропроцессорная техника// М., Высшая школа, 2004 г., 790 стр.

2. Казённов, Г.Г. Основы проектирования интегральных схем и систем // Г.Г. Казённов. – М.: БИНОМ. Лаборотория знаний, 2009. – 295 с.

3. Джон Ф. Уэйкерли. Проектирование цифровых устройств, том 1 и 2. Перевод с английско-го – М.: Постмаркет, 2002.

4. Петросянц К.О., Харитонов И.А., Стародубов А.Ю. Моделирование работы цифровых устройств с помощью программы PSPICE// РИС МИЭМ, 2005.Павлов В.Н., Ногин В.Н. Схемотехника аналоговых устройств. – М.: «Горячая линия – Телеком», 2001.

5. Петросянц К.О., Рябов Н.И., Харитонов И.А. Изучение статических вольт-амперных ха-рактеристик биполярного транзистора и определение параметров его модели для схемо-технических расчетов.// РИО МИЭМ, 2002.

6. Петросянц К.О., Рябов Н.И., Харитонов И.А. Изучение статических вольт-амперных ха-рактеристик МДП транзистора и определение параметров его модели для схемотехниче-ских расчетов.// РИО МИЭМ, 2002.

7. Петросянц К.О., Рябов Н.И., Харитонов И.А. Изучение статических и динамических ха-рактеристик логических интегральных схем на комплементарных МОП-транзисторах (КМОП).// РИО МИЭМ, 2002.

8. Петросянц К.О., Рябов Н.И., Харитонов И.А. Изучение статических и динамических ха-рактеристик логических ТТЛ интегральных схем // РИО МИЭМ, 2002.


Дополнительная литература:

1. Хоровиц П., Хилл У. Искусство схемотехники: в 3-х томах. Перевод с английского. – 4-ое издание. – М.: Мир, 1993.


Моделирование полупроводниковых приборов и элементов микро- и наноэлектроники

(Авторы – д.т.н., проф. Петросянц К.О., к.т.н., доц. Харитонов И.А.)


Аннотация

Данный курс включен в вариативную часть профессионального цикла подготовки магистров 2-го года обучения и направлен на изучение студентами математических моделей электронных приборов, схем и устройств, методов компьютерного моделирования элементной базы аналоговой и цифровой техники, пакетов программ для моделирования характеристик изделий микроэлектроники; на приобретение практических навыков разработки математических моделей и компьютерного моделирования электронных приборов и схем различного функционального назначения; ознакомлении с современным научно-техническим уровнем и перспективами развития средств моделирования устройств микро и наноэлектроники.


Цель курса

Целью дисциплины " Моделирование полупроводниковых приборов и элементов микро- и наноэлектроники " является приобретение студентами знаний и опыта разработки физических и математических моделей, компьютерного моделирования исследуемых физических процессов и проектируемых приборов, схем и устройств , относящихся к профессиональной сфере.


Тематический план

1. Программы для моделирования технологических процессов изготовления микроэлектронных изделий.

2. Моделирование технологий изготовления полупроводниковых приборов.

3. Приборное - моделирование перспективных структур микроэлектронных изделий

4. Смешанное приборно-схемотехническое моделирование.

5. Моделирование тепловых процессов в электронных изделиях. Механизмы теплопередачи.

6. Компьютерные модели микроэлектронных приборов для схемотехнического расчета схем.

7. Определение параметров схемотехнических моделей микроэлектронных компонентов

8. Схемотехнический расчет статических и динамических характеристик простейших аналоговых и цифровых фрагментов БИС

9. Схемотехническое моделирование фрагментов схем с использованием макромоделей

10. Схемотехническое моделирование узлов цифровых схем и систем.


Литература

Основная литература

1. В.Г. Гусев, Ю.М. Гусев Электроника и микропроцессорная техника// М., Высшая школа, 2004 г., 790 стр.

2. Горячкин Ю. В. Физико-топологическое моделирование в САПР ТСАД / Ю. В. Горячкин, С. А. Нестеров, Б. П. Сурин. – Саранск : Изд-во Мордов. ун-та, 2006. 124 с. – (Учебники Мордовского университета).

3. Шишлянников Б.М. ISE TCAD: Программа моделирования технологических процессов микроэлектроники: Методические указания / НовГУ им. Ярослава Мудрого. - Новгород, 2004. – 630 с.

4. Петросянц К.О., Харитонов И.А., Стародубов А.Ю. Моделирование работы цифровых устройств с помощью программы PSPICE// РИС МИЭМ, 2005.

Дополнительная литература

5 Разевиг В.Д. Система проектирования ORCAD 9.2. // Москва, Солон-Р, 2003.


Методы и средства измерения характеристик микроэлектронных приборов и элементов БИС

(Авторы – доц., к.т.н. Харитонов И.А., ст. препод. Самбурский Л.М.)


Аннотация

Данный курс включен в вариативную часть профессионального цикла подготовки магистров 2-го года обучения и направлен на приобретение студентами знаний о видах, методах и методиках измерений и испытаний изделий микро- и наноэлектроники, классификации средств измерения их характеристик.. Приведены устройство, принцип действия, характеристики и область применения электромеханических, электронных аналоговых и цифровых приборов, а также методы измерения электрических величин полупроводниковых изделий. Рассмотрены методы и методики измерений характеристик полупроводниковых приборов для целей определения параметров их математических моделей.


Цель курса

Цель курса заключается в формировании у студентов знаний и умений, необходимых для выбора, создания, внедрения и эксплуатации современных испытательных стендов, измерительных установок и систем, используемых при исследовании характеристик микро- и наноэлектронных изделий, оценке их соответствия установленным требованиям. Формировании умений измерять характеристики полупроводниковых приборов для целей определения параметров их математических моделей, используя автоматизированные средства измерений.


1   2   3   4

Похожие:

«Инжиниринг в электронике» Методы математического моделирования (Автор: к т. н., доцент Рябов Н. И.) iconПояснительная записка Дисциплина «Методы финансово-экономического управления»
В. П. Кирлица  доцент кафедры математического моделирования и анализа данных, кандидат физ мат наук, доцент
«Инжиниринг в электронике» Методы математического моделирования (Автор: к т. н., доцент Рябов Н. И.) iconДиссертации «Проблема устойчивости задач математического программирования»
Доцент кафедры моделирования в экономике и управлении, кандидат физико-математических наук
«Инжиниринг в электронике» Методы математического моделирования (Автор: к т. н., доцент Рябов Н. И.) iconПрограмма вступительного экзамена в магистратуру по направлению 23130068 «Прикладная математика»
Три этапа развития математического моделирования. Интеллектуальное ядро: модель- алгоритм-программа. Значение математического моделирования...
«Инжиниринг в электронике» Методы математического моделирования (Автор: к т. н., доцент Рябов Н. И.) iconРабочая программа дисциплины «Методы моделирования и прогнозирования экономики»
Иволгина Светлана Витальевна доцент кафедры математических методов и моделей в экономике
«Инжиниринг в электронике» Методы математического моделирования (Автор: к т. н., доцент Рябов Н. И.) iconВопросы к экзамену Основные понятия, этапы и методы математического моделирования социально-экономических систем
Параметрическое программирование. Постановка и геометрическая интерпретация задачи. Графическое решение задачи
«Инжиниринг в электронике» Методы математического моделирования (Автор: к т. н., доцент Рябов Н. И.) iconРабочая программа дисциплины статистические методы построения математических моделей и обработки экспериментальных данных од. А. 04 Специальность 05. 13. 18 «Математическое моделирование, численные методы и комплексы программ»
Целью дисциплины является углубленное изучение принципов математического моделирования систем на основе статистической информации...
«Инжиниринг в электронике» Методы математического моделирования (Автор: к т. н., доцент Рябов Н. И.) iconМетоды и технологии для оценок экологического состояния природно-технических систем с использованием математического и геоинформационного моделирования
...
«Инжиниринг в электронике» Методы математического моделирования (Автор: к т. н., доцент Рябов Н. И.) iconРабочая программа Компьютерное моделирование в материаловедении Специальность (направление): 010400 физика
Целью курса является освоение студентами специальных знаний по методам математического моделирования и оптимизации материалов и процессов,...
«Инжиниринг в электронике» Методы математического моделирования (Автор: к т. н., доцент Рябов Н. И.) iconРабочая программа дисциплины модели и методы принятия решений фд. А. 01 Специальность 05. 13. 01 «Системный анализ, управление и обработка информации»
Целью дисциплины является углубленное изучение принципов принятия управленческих решений на основе математического моделирования...
«Инжиниринг в электронике» Методы математического моделирования (Автор: к т. н., доцент Рябов Н. И.) iconУтверждена на Ученом Совете механико-математического факультета сгу
Декан механико-математического факультета, кандидат физико-математических наук, доцент- захаров А. М
Разместите кнопку на своём сайте:
Библиотека


База данных защищена авторским правом ©lib2.znate.ru 2012
обратиться к администрации
Библиотека
Главная страница